開(kāi)關(guān)電源之場(chǎng)效應(yīng)管（FET）是利用控制輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件，并以此命名。場(chǎng)效應(yīng)管特點(diǎn)（1）場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件，它通過(guò)VGS（柵源電壓）來(lái)控制ID（漏極電流）；
（2）場(chǎng)效應(yīng)管的控制輸入端電流極小，因此它的輸入電阻（10～10Ω）很大。
（3）它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，因此它的溫度穩(wěn)定性較好；（4）它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù)；（5）開(kāi)關(guān)電源之場(chǎng)效應(yīng)管的抗輻射能力強(qiáng)；（6）由于它不存在雜亂運(yùn)動(dòng)的電子擴(kuò)散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。

開(kāi)關(guān)電源之場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)
開(kāi)關(guān)電源之場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)很多，包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)，但普通運(yùn)用時(shí)只需關(guān)注以下主要參數(shù)：飽和漏源電流IDSS夾斷電壓Up，（結(jié)型管和耗盡型絕緣柵管，或開(kāi)啟電壓UT（加強(qiáng)型絕緣柵管）、跨導(dǎo)gm、漏源擊穿電壓BUDS、最大耗散功率PDSM和最大漏源電流IDSM。
（1）飽和漏源電流：飽和漏源電流IDSS是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中，柵極電壓UGS＝0時(shí)的漏源電流。
（2）夾斷電壓夾斷電壓UP是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中，使漏源間剛截止時(shí)的柵極電壓。
（3）開(kāi)啟電壓，開(kāi)啟電壓UT是指加強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中，使漏源間剛導(dǎo)通時(shí)的柵極電壓。
（4）跨導(dǎo)，跨導(dǎo)gm是表示柵源電壓UGS對(duì)漏極電流ID的控制才能，即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。9m是權(quán)衡場(chǎng)效應(yīng)管放大才能的重要參數(shù)。
（5）漏源擊穿電壓
漏源擊穿電壓BUDS是指柵源電壓UGS一定時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)管正常工作所能接受的最大漏源電壓。這是一項(xiàng)極限參數(shù)，加在場(chǎng)效應(yīng)管上的工作電壓必需小于BUDS。
（6）最大耗散功率
最大耗散功率PDSM也是—項(xiàng)極限參數(shù)，是指場(chǎng)效應(yīng)管性能不變壞時(shí)所允許的最大漏源耗散功率。運(yùn)用時(shí)場(chǎng)效應(yīng)管實(shí)踐功耗應(yīng)小于PDSM并留有—定余量。
（7）最大漏源電流，最大漏源電流IDSM是另一項(xiàng)極限參數(shù)，是指場(chǎng)效應(yīng)管正常工作時(shí)，漏源間所允許經(jīng)過(guò)的最大電流。場(chǎng)效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超越IDSM。

開(kāi)關(guān)電源之場(chǎng)效應(yīng)管的作用
1、場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于開(kāi)關(guān)電源之場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。2、場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換。3、場(chǎng)效應(yīng)管可以用作可變電阻。4、開(kāi)關(guān)電源之場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。5、場(chǎng)效應(yīng)管可以用作電子開(kāi)關(guān)。

最后來(lái)說(shuō)說(shuō)開(kāi)關(guān)電源之場(chǎng)效應(yīng)管在電路中如何控制電流大小
MOS管是電壓控制器件，也就是需要使用電壓控制G腳來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)管子電流的控制。一般市面上最常見(jiàn)的是增強(qiáng)型N溝通MOS管，你可以用一個(gè)電壓來(lái)控制G的電壓，開(kāi)關(guān)電源之MOS管導(dǎo)通電壓一般在2-4V，不過(guò)要完全控制，這個(gè)值要上升到10V左右。給你推薦一種方法。

基本方法：用一個(gè)控制電壓（比較器同相輸入端）和一個(gè)參考電壓（比較器反相輸入端），同時(shí)進(jìn)入電壓比較器（比較器電源接正12V和地，比如LM358當(dāng)比較器），比較器的輸出經(jīng)過(guò)5.1K電阻上拉后接G腳，如果控制電壓比參考電壓高，則控制開(kāi)關(guān)電源之MOS管導(dǎo)通輸出電流。
參考電壓可以來(lái)自于采樣電阻，也就是在NMOS的S極接一個(gè)大功率小電阻后接地，這個(gè)開(kāi)關(guān)電源之電阻做電流采樣，當(dāng)電流流過(guò)電阻后會(huì)形成電壓，把它放大處理后做參考。
剛開(kāi)始的時(shí)候，開(kāi)關(guān)電源之電路上的電流很小，所以控制電壓比參考電壓高很多，這時(shí)候G腳基本上都加了12V，可以使管子迅速導(dǎo)通，在很短時(shí)間后，當(dāng)電流增大逐步達(dá)到某個(gè)值時(shí)，參考電壓迅速上升，與控制電壓接近并超過(guò)時(shí)，比較器就輸出低電平（接近0V）使管子截止，電流減小。然后電流減少后，參考電壓又下去，管子又導(dǎo)通，電流又增大。然后周而復(fù)始。

如果你用D/A輸出代替控制電壓，則可以獲得對(duì)MOS管的精確控制，我們以前實(shí)現(xiàn)過(guò)輸出范圍10-2000mA，步進(jìn)1mA，輸出電流精度正負(fù)1mA的水平。