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開關電源設計后EMI的實際整改策略－－傳導部分及輻射部分（三）
來源： 發(fā)布時間：2019-04-18 點擊量：1887
開關電源設計后EMI的實際整改策略－－傳導部分及輻射部分（三）
本文繼續(xù)從傳導部分20－30MHZ差模共?；旌虾洼椛洳糠?0－50MHZ普遍是MOS管高速開通關斷引起 ，50－100MHZ 普遍是輸出整流管反向恢復電流引起這三個方面來敘述。
對于20－30MHZ來說
1、對于一類產(chǎn)品可以采用調整對地Y2電容量或改變Y2電容位置；調整一二次側間的Y1 電容位置及參數(shù)值；
2、開關電源在變壓器外面包銅箔，變壓器最里層加屏蔽層，調整變壓器的各繞組的排布。改變PCB LAYOUT；
3、輸出線前面接一個雙線并繞的小共模電感；、在輸出整流管兩端并聯(lián)RC濾波器且調整合理的參數(shù)；
4、開關電源在變壓器與MOSFET之間加磁珠；在變壓器的輸入電壓腳加一個小電容。
5、可以用增大MOS 驅動電阻?？赡苁请娮迂撦d引起的，可改用電阻負載。
6、可將MOS管D 端對地接一個101的電容?？蓪⑤敵稣鞫O管換一個積電容小一點的。
7、開關電源可將輸出整流二極管的RC回路去掉。將輸入端加兩個Y電容對地，可降低傳導25MHZ－30MHZ干擾。
8、緊貼變壓器的磁芯上加一銅皮，銅皮連接到地。
9、傳導后段25MHZ超標可在輸出端加共模電感，也可在開關管源極檢測電阻上套一長的導磁力合適的磁珠。
輻射部分
30－50MHZ普遍是MOS管高速開通關斷引起
1．開關電源可以用增大MOS驅動電阻；2．RCD 緩沖電路采用1N4007慢管；3．VCC 供電電壓用1N4007慢管來解決；
4．或者輸出線前端串接一個雙線并繞的小共模電感；5．在MOSFET的D－S腳并聯(lián)一個小吸收電路；
6．開關電源在變壓器與MOSFET之間加BEAD CORE；7．在變壓器的輸入電壓腳加一個小電容；
8．PCB 心LAYOUT 時大電解電容，變壓器，MOS 構成的電路環(huán)盡可能的?。?/span>
9．變壓器，輸出二極管，輸出平波電解電容構成的電路環(huán)盡可能的小。
50－100MHZ 普遍是輸出整流管反向恢復電流引起
1．可以在整流管上串磁珠；2．調整輸出整流管的吸收電路參數(shù)；
3．可改變一二次側跨接Y電容支路的阻抗，如PIN腳處加BEAD CORE或串接適當?shù)碾娮瑁?/span>
4．也可改變MOSFET，輸出整流二極管的本體向空間的輻射（如鐵夾卡MOSFET； 鐵夾卡DIODE，改變散熱器的接地點）。
5．開關電源增加屏蔽銅箔抑制向空間輻射．
200MHZ 以上開關電源已基本輻射量很小，一般可過EMI 標準。
最后對開關電源EMI的對策處理做一下小結：
外部構造的屏蔽處理；產(chǎn)品外部的電纜線處理；產(chǎn)品內部的電纜線處理；PCB布線處理；開關電源的振蕩頻率的選擇；IC型號的選擇；磁性材料的頻率和帶寬的選擇；變壓器的選型、繞法和設計；散熱器的接地方式的處理。
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