開關(guān)電源之開關(guān)損耗包括導通損耗和截止損耗。導通損耗指功率管從截止到導通時,所產(chǎn)生的功率損耗。截止損耗指功率管從導通到截止時,所產(chǎn)生的功率損耗。
開關(guān)損耗（Switching-Loss）包括開通損耗（Turn-on Loss）和關(guān)斷損耗(Turn-of Loss)，常常在硬開關(guān)（Hard-Switching）和軟開關(guān)（Soft-Switching）中討論。對于開關(guān)電源之所謂開通損耗（Turn-on Loss），是指非理想的開關(guān)管在開通時，開關(guān)管的電壓不是立即下降到零，而是有一個下降時間，同時它的電流也不是立即上升到負載電流，也有一個上升時間。

在這段時間內(nèi)，開關(guān)管的電流和電壓有一個交疊區(qū)，會產(chǎn)生損耗，這個損耗即為開通損耗。以此類比，可以得出關(guān)斷損耗產(chǎn)生的原因，這里不再贅述。
開關(guān)損耗另一個意思是指在開關(guān)電源中，對大的MOS管進行開關(guān)操作時，需要對寄生電容充放電，這樣也會引起損耗。

開關(guān)電源之MOS開關(guān)損耗推導過程解析   
開關(guān)電源工程師們都知道開關(guān)MOS在整個電源系統(tǒng)里面的損耗占比是不小的，開關(guān)mos的的損耗我們談及最多的就是開通損耗和關(guān)斷損耗，由于這兩個損耗不像導通損耗或驅(qū)動損耗一樣那么直觀，所有有部分人對于它計算還有些迷茫。

1、開關(guān)電源之MOS開關(guān)損耗之最惡劣情況的分析  
電流與電壓在開關(guān)時交疊的過程，這個圖中描述的是其實是最惡劣的情況，開通時等mos管電流上升到I1之后mos管電壓才開始下降，關(guān)斷時等mos管電壓上升到Vds后mos管電流才開始下降。

2、開關(guān)電源之MOS開關(guān)損耗之mos管開通過程   
階段一：電壓不變電流上升（電壓為Vds不變，電流由0上升到Ip1）mos開通瞬間，電流從零快速開始上升到Ip1，此過程MOS的DS電壓不變?yōu)閂ds；

階段二：電流不變電壓下降（電流為Ip1不變，電壓由Vds下降到0）
電流上升到Ip1后，此時電流的上升斜率（Ip1-Ip2段）相對0-Ip1這一瞬間是非常緩慢的，我們可以近似把上升到Ip1之后繼續(xù)上升的斜率認為是0，把電流基本認為是Ip1不變，此時MOS管的DS電壓開始快速下降到0V。

3、開關(guān)電源之MOS開關(guān)損耗之mos管關(guān)斷過程   
階段一：電流不變電壓上升（電流為Ip2不變，電壓由0上升到Vds）電壓從0快速開始上升到最高電壓Vds，與開通同理此過程MOS的電流基本不變?yōu)镮p2；
階段二：電壓不變電流下降（點壓為Vds不變，電流由Ip2下降到0）電壓此時為Vds不變，電流迅速從Ip2以很大的下降斜率降到0。