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2019-12-17開(kāi)關(guān)電源之電路板pcb入門須知哪些問(wèn)題（二）
開(kāi)關(guān)電源之電路板pcb入門須知7、什么是地電平面反彈噪聲和回流噪聲？ 在電路中有大的電流涌動(dòng)時(shí)會(huì)引起地平面反彈噪聲（簡(jiǎn)稱為地彈），如大量芯片的輸出同時(shí)開(kāi)啟時(shí)，將 有一個(gè)較大的瞬態(tài)電流在芯片與板的電源平面流過(guò)，芯片封裝與電源平面的電感和電阻會(huì)引發(fā)電源噪聲，這樣會(huì)在真正的地平面（0V）上產(chǎn)生電壓的波動(dòng)和
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2019-12-17怎樣快速檢出開(kāi)關(guān)電源之PCB板故障問(wèn)題
制作PCB板并非簡(jiǎn)單的按流程來(lái)做完板子，鉆個(gè)孔打上元器件就好了。開(kāi)關(guān)電源PCB的制作并不難，難的在于制作完成后的故障排查。對(duì)于PCB電路板在調(diào)試的時(shí)候遇到問(wèn)題也是相當(dāng)?shù)念^疼，常見(jiàn)的開(kāi)關(guān)電源之PCB電路板問(wèn)題并不少，常見(jiàn)的問(wèn)題除了開(kāi)關(guān)電源之電路板設(shè)計(jì)、電子元器件的損壞、線路短路、元器件的質(zhì)量、開(kāi)關(guān)電源
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2019-12-17廣州超薄開(kāi)關(guān)電源費(fèi)用
影響電源壽命。采用分離式電源方案是一個(gè)好的選擇。 5、維護(hù)的可行性。 電源的故障問(wèn)題不可能完全避免，超薄開(kāi)關(guān)電源 1、主電路 沖擊電流限幅：限制接通電源瞬間輸入側(cè)的沖擊電流。 輸入濾波器：其作用是過(guò)濾電網(wǎng)存在的雜波及阻礙本機(jī)產(chǎn)生的雜波反饋回電網(wǎng)。 整流與濾波：將電網(wǎng)交流電源直接整流為較平滑的直...
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2019-12-16對(duì)于開(kāi)關(guān)電源的選擇MOSFET的步驟(一）
開(kāi)關(guān)電源的元器件之MOSFET的導(dǎo)通電阻總是在一個(gè)或多個(gè)柵源電壓條件下確定的。最大RDS(on)限值可以比典型數(shù)值高20%～50%。 RDS(on)最大限值通常指的25℃結(jié)溫下的數(shù)值，而在更高的溫度下，RDS(on)可以增加30%～150%。 導(dǎo)通電阻對(duì)N溝道和P溝道MOSFET都是十分重要的。在
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2019-12-16對(duì)于開(kāi)關(guān)電源的選擇MOSFET的步驟(二）
事實(shí)上，MOSFET數(shù)據(jù)表上的每一頁(yè)都包含有對(duì)設(shè)計(jì)者非常有價(jià)值的信息。但人們不是總能搞得清楚該如何解讀制造商提供的數(shù)據(jù)。本文概括了一些MOSFET的關(guān)鍵指標(biāo)，這些指標(biāo)在數(shù)據(jù)表上是如何表述的，以及你理解這些指標(biāo)所要用到的清晰圖片。像大多數(shù)電子器件一樣，MOSFET也受到工作溫度的影響。所以很重要的一點(diǎn)
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2019-12-16探討開(kāi)關(guān)電源之MOS管失效的原因
在開(kāi)關(guān)電源之MOS管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體—半導(dǎo)體。下面對(duì)開(kāi)關(guān)電源之MOS失效的原因總結(jié)以下六點(diǎn)： 1：雪崩失效（電壓失效），也就是我們常說(shuō)的漏源間的BVdss電壓超過(guò)開(kāi)關(guān)電源之MOSFET的額定電壓，并且超
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2019-12-16談開(kāi)關(guān)電源之PCB的制造商質(zhì)量判斷的幾個(gè)方面
很多人相信用戶在查找高質(zhì)量的開(kāi)關(guān)電源之pcb制造商和組件時(shí)都很頭痛，那么到底是高質(zhì)量重要，還是低成本重要。兩者都重要，但往往高質(zhì)量的開(kāi)關(guān)電源之PCBA產(chǎn)品價(jià)格都是很高，那么判斷制造商質(zhì)量高的要素又有哪些呢？ 1、看開(kāi)關(guān)電源之PCBA制造商的生產(chǎn)工藝能力 生產(chǎn)能力不僅包括為客戶解決困難的線路問(wèn)題以外
